GaAsの解析#
計算内容#
- As欠陥を導入したGaAsにおける、中性/電子ドープ時の電子状態の比較
対象構造#
 As欠陥を導入したZincblende構造 (a=5.65Å) |
計算条件#
AOF-DFTとKS-DFTとで共通するパラメータにはすべて同じ値を使用
| パラメータ | 値 |
|---|---|
| 擬原子軌道 | Ga7.0_as.pao, s1p1 As7.0_as.pao, s1p1 |
| 擬ポテンシャル | Ga_PBE26_as.vps, As_PBE26_as.vps |
| 汎関数モデル(AOF-DFTのみ) | Crystal26 |
| エネルギーのカットオフ | 150 Hartree |
| k点密度(KS-DFTのみ) | 3.5 point/Å-1 |
| スメアリング幅 | 0.02 Hartree |
| 収束閾値 | 1.0×10-6 Hartree |
| 総電荷 | 0.0 or -1.0 |
計算結果#
- 電荷ドープによるマリケン電荷の変化量ΔqはAs原子に比べてGa原子の方が2倍近く大きく、ドープされた電子の空孔周辺Gaへの局在が正しく表現されている
| AOF-DFT | KS-DFT | |
|---|---|---|
| Δq of Ga | -1.72e-01 | -1.82e-01 |
| Δq of As | -1.04e-01 | -9.07e-02 |
- 計算した電子密度をcubeファイルに保存し、NanoLaboなどの外部ツールで可視化が可能
 AOF-DFTによる電子密度のドープ/中性時の差分の可視化（rhomax×0.9以上の値のみ） |